| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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SI7664DP-T1-E3 |
PowerPAK? SO-8 | Vishay Siliconix | 168 | 闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣櫖闁跨噦鎷�0755-83217923 询价QQ：  |
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SI7664DP-T1-E3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：40A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：125nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7770pF @ 15V 功率 - 最大值：83W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 圆形 - 外壳DJT10F19-35HA-LC 接口 - 模拟开关ADG884BCBZ-REEL7 圆形CA3102E36-5SBF80 数据采集 - 数字X9400WV24IZ-2.7T1 PMIC - 电池MAX6439UTPTVD3 T 圆形CA3106E28-16SF80 圆形CA3106R24-7PBF80 PMIC - 电池MAX6440UTAGVD3 T 接口 - UARTSCC2692AE1N28,129 通孔电阻器HHV-25JR-52-910K |
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